توصل باحثون من مختبر آي بي إم إلى صنع رقاقة ترانزستور جديدة، من خلال وضع العناصر المعدنية على الرقاقة أولا، ومن ثم إضافة الترانزستورات، ولاحظوا أن ذلك يؤدي إلى عدم معاناة الرقاقة من أضرار الإجهاد البنيوي، وعدم تعرضها للتلف.
وقال أحد الباحثين إنه من خلال الحفاظ على سير عملية التصنيع، فإنه أمكن تصنيف درجة كفاءة الترانزستور بنحو 10 آلاف مرة أفضل من ذي قبل.