طوّر فريق من العلماء «ذاكرة وصول عشوائية» من مادة السيليكون، لتصبح أول رقاقة سيليكونية يمكن استخدامها في إنشاء ذاكرة سريعة جداً في الكمبيوتر.

ونقل موقع ساينس دايلي الأميركي عن باحثين في جامعة كولدج لندن البريطانية، إنّ رقاقات السيليكون هذه (ReRam) مصنوعة من مواد مثل أكسيدات المعادن، تتغير مقاومتها الكهربائية عند تعرضها لتيار كهربائي، وهي تتذكر هذا التغيير حتى عندما يطفأ جهاز الكمبيوتر.

وأفاد الباحثون أنّ هذه الرقاقات صُمّمت لتخزين كمية أكبر من المعلومات بالمقارنة مع التكنولوجيات الحديثة، على مثال ذاكرة فلاش، أو الذاكرة الوميضية المستخدمة في أقراص التخزين USB التي تتطلب كمية أقل من الطاقة ومساحة أقل.