أعلنت سامسونج للالكترونيات ، أن ذاكرة DRAM من فئة (بيانات مزدوجة الوتيرة) و50 نانومتر التي تصنعها الشركة قد نالت التصديق من شركة إنتل للعمل مع مجموعات الرقائق الحالية التي تنتجها إنتل على سرعات تبلغ 800 ميغابايت في الثانية.
والجدير بالذكر أنّ ذاكرات DRAM (ذاكرة النيل العشوائي الدينامية) من سامسونج هي الأكثر تقدّماً بين منافساتها. وطوّرت سامسونج الذاكرة من نوع DDR2 بسعة 1 غيغابيت التي تستعين بتكنولوجيا المعالجة من فئة 50 نانومتر في أكتوبر عام 2006.
وقد كانت الأولى في هذا المضمار لأنّ أيّ شركة أخرى لم تطوّر تكنولوجيا معالجة مشابهة لذاكرات من نوع DDR2. وتؤدّي معالجة الذاكرات من نوع DDR2 وسعة 1 جيغابيت بنطاق 50 نانومتر إلى مضاعفة إنتاجية الذاكرات من النوع نفسه ولكن بتكنولوجيا معالجة بنطاق 80 نانومتر، ناهيك عن أنها تحسّن فعاليّة الإنتاج بنسبة 50% مقارنة مع ذاكرات DRAM التي تستخدم عملية تصنيع من فئة 60 نانومتر.
وما دام من المتوقّع أن يزداد استخدام الكمبيوترات التي تستعين ببرنامج ويندوز فيستا بشكل كبير في أسواق الشركات خلال النصف الثاني من هذه السنة من المفترض أن يزداد الطلب أيضاً على ذاكرات أساسية بسعة أعلى. ومن المتوقّع أن تنتقل السوق من ذاكرات DRAM سعة 512 ميغابيت إلى الذاكرات سعة 1 جيغابيت.
كما سينتقل المصنّعون من DDR2 إلى DDR3 في أواخر العام 2007. وسيتمّ استخدام تكنولوجيا المعالجة فئة 50 نانومتر لذاكرات DRAM من سامسونج والتي نالت التصديق من إنتل الآن في إنتاج DDR2 بكميّات كبيرة ابتداءً من النصف الأول من السنة المقبلة، فضلاً عن ذاكرات DRAM أخرى من الجيل المقبل، بالإضافة إلى أحدث ذاكرة DRAM جوّالة.
كما صدّقت إنتل تكنولوجيا تصميم الرقاقات من فئة 60 نانومتر من سامسونج في مارس الماضي. وكانت سامسونج أوّل شركة تباشر بإنتاج الرقاقات من فئة 60 نانومتر بكميّات كبيرة في وقت سابق من السنة، وستكون السبّاقة أيضاً في إنتاج الذاكرات من فئة 50 نانومتر بكميّات كبيرة في السنة المقبلة فيما لا تزال شركات أخرى تستعين بتصاميم 60 و70 و80 نانومتر.