بدأ عدد من الشركات الكبرى في قطاع الكمبيوتر والالكترونيات اعتماد التصميم الهندسي قياس 130 ميكرون لصناعة شرائح التخزين الرقيقة الخاصة بذاكرة (رام) الموقوتة SRAM. وبعد تطوير الشريحة الصغيرة سعة 8 ميجابايت، تقوم الشركة المنتجة (سامسونج للالكترونيات) Samsung Electronics حاليا بتطوير شرائح متفوقة تستطيع معالجة البيانات خلال 55 نانوثانية Nanoseconds، وتساوي النانوثانية جزءاً من مليار من الثانية الواحدة. تحمل الشريحة الجديدة اسم (كاي 6 أف 8016 يو 6 بي) K6F 8016 U6B، وهي تعمل بقوة كهرباء تبلغ 81 فولتات، كما انها تستهلك أقل من مايكرو أمبير واحد من الطاقة في درجات الحرارة العادية. وبتطبيق نظام التصميم الهندسي للدارات الالكترونية قياس 130 ميكرون، يمكن تطوير شرائح (سامسونج) كي تكون أصغر بنسبة 30% من شرائح (أس رام) SRAM الراهنة والتي تعتمد نظام التصميم 150 ميكرون. وتسمح الهندسة الصغرية أيضاً بزيادة كبيرة في فعالية الانتاج تبلغ أكثر من 50%. ومن المتوقع أن تتيح الشرائح الجديدة امكانية معالجة كميات كبيرة من البيانات الصوتية والفيديوية، وحتى القيام بعمليات ولوج سريع الى الانترنت، واستخدام الشرائح في الأجهزة الهاتفية الخليوية من الجيل المقبل.
